سامسونگ تولید انبوه حافظه‌های رم ۱۲ نانومتری DDR5 DRAM را آغاز کرد

جویونگ لی، معاون اجرایی بخش محصولات و فناوری‌های DRAM شرکت سامسونگ گفت: « حافظه‌های ۱۲ نانومتری کلاس DDR5 سامسونگ با استفاده از فناوری منحصربه‌فرد و فرآیند پردازشی متمایز خود، بازدهی و عملکرد‌ فوق‌العاده‌ای را ارائه می‌دهند. تولید این رم‌های جدید، نشان‌دهنده ادامه تعهد سامسونگ به نوآوری در بازار رم‌ها و حافظه‌های پیشرفته است. این تعهد علاوه بر تامین نیاز بازار به تولیداتی با بازدهی و ظرفیت بالا، به تجاری‌سازی راهکارهای نسل‌ آینده که تابع بهره‌وری بیشتر هستند نیز می‌پردازد».

در مقایسه با نسل قبلی، حافظه‌های رم ۱۲ نانومتری DDR5 DRAM جدید سامسونگ، مصرف انرژی را تا ۲۳ درصد کاهش می‌دهد و در عین حال نیز بهره‌وری ویفر (wafer) را تا ۲۰ درصد افزایش می‌دهد. بازدهی فوق‌العاده انرژی باعث شده تا این حافظه‌ها‌ی پیشرفته برای شرکت‌های جهانی حوزه فناوری اطلاعات که می‌خواهند مصرف انرژی و ردپای کربن سرورها و مراکزداده خود را کاهش دهند، راهکاری ایده‌آل باشد.      

توسعه فناوری پردازشی این رم‌ها به لطف استفاده از یک ماده جدید که به افزایش ظرفیت سلولی کمک می‌کند‌، امکان‌پذیر شده است. ظرفیت سلولی بالا نیز منجر به اختلاف پتانسیل الکتریکی قابل توجهی در سیگنال‌های داده می‌شود که تشخیص دقیق آنها را آسان‌تر می‌کند. همچنین تلاش‌های این شرکت برای کاهش ولتاژ پردازش و کاهش نویز به ارائه راهکارهایی بهینه که مصرف‌کنندگان به آن نیاز دارند نیز کمک کرده است.

حافظه‌های رم ۱۲ نانومتری DDR5 DRAM سامسونگ با حداکثر سرعت ۷٫۲ گیگابیت بر ثانیه که می‌تواند دو فیلم ۳۰ گیگابایتی UHD را در حدود یک ثانیه پردازش کند، مجموعه گسترده‌ای از برنامه‌ها را پشتیبانی می‌کند. این برنامه‌ها شامل مراکز‌داده، هوش مصنوعی، پردازش‌های نسل بعدی و… هستند.      

شرکت سامسونگ در دسامبر سال گذشته ارزیابی رم‌های ۱۶ گیگابیتی DDR5 خود را برای سازگاری با پردازنده‌های AMD به پایان رساند و علاوه بر آن با شرکت‌های جهانی حوزه فناوری اطلاعات همکاری می‌کند تا در بازار نسل‌های بعدی حافظه‌های DRAM، به نوآوری ادامه دهد.